Модуль IGBT. Производитель STARPOWER Semiconductor. 4-е транзистора в одном модуле. Ток коллектора при Tс = 80°С — Iс=50А. Ток коллектора при Tс = 25°С — Iс=77А. Импульсный ток коллектора при tp=1ms — Iсm=100А. Максимальное напряжение коллектор-эмитер Vces = 1200V. Номинальный прямой ток диода If = 50A. Максимальный прямой ток диода Ifm = 100A. Повторяющееся пиковое обратное напряжение Vrrm = 1200V. Диапазон рабочих температур -40 to +125 °С. Вес 0,2кг
Цена от 620.05 грн
