14
Ноя
IGBT МОДУЛЬ GD50HHU120C5S
Модуль IGBT. Производитель STARPOWER Semiconductor. 4-е транзистора в одном модуле. Ток коллектора при Tс = 80°С — Iс=50А. Ток коллектора при Tс = 25°С — Iс=77А. Импульсный ток коллектора при tp=1ms — Iсm=100А. Максимальное напряжение коллектор-эмитер Vces = 1200V. Номинальный прямой ток диода If = 50A. Максимальный прямой ток диода Ifm = 100A. Повторяющееся пиковое обратное напряжение Vrrm = 1200V. Диапазон рабочих температур -40 to +125 °С. Вес 0,2кг
Цена от 1438.16 грн
Модуль IGBT. Производитель STARPOWER Semiconductor. 2-а транзистора в одном модуле. Ток коллектора при Tс = 80°С — Iс=300А. Ток коллектора при Tс = 25°С — Iс=480А. Импульсный ток коллектора при tp=1ms — Iсm=600А. Максимальное напряжение коллектор-эмитер Vces = 1200V. Номинальный прямой ток диода If = 300A. Максимальный прямой ток диода Ifm = 600A. Диапазон рабочих температур -40 to +125 °С. Вес 0,35кг
Модуль IGBT. Производитель STARPOWER Semiconductor. 2-а транзистора в одном модуле. Ток коллектора при Tс = 80°С — Iс=400А. Ток коллектора при Tс = 25°С — Iс=660А. Импульсный ток коллектора при tp=1ms — Iсm=800А. Максимальное напряжение коллектор-эмитер Vces = 1200V. Номинальный прямой ток диода If = 400A. Максимальный прямой ток диода Ifm = 800A. Диапазон рабочих температур -40 to +125 °С. Вес 0,35кг
Модуль IGBT. Производитель STARPOWER Semiconductor. 2-а транзистора в одном модуле. Ток коллектора при Tс = 80°С — Iс=450А. Ток коллектора при Tс = 25°С — Iс=680А. Импульсный ток коллектора при tp=1ms — Iсm=900А. Максимальное напряжение коллектор-эмитер Vces = 1200V. Номинальный прямой ток диода If = 450A. Максимальный прямой ток диода Ifm = 900A. Диапазон рабочих температур -40 to +125 °С. Вес 0,35кг