Модуль IGBT. Производитель STARPOWER Semiconductor. 2-а транзистора в одном модуле. Ток коллектора при Tс = 80°С — Iс=400А. Ток коллектора при Tс = 25°С — Iс=660А. Импульсный ток коллектора при tp=1ms — Iсm=800А. Максимальное напряжение коллектор-эмитер Vces = 1200V. Номинальный прямой ток диода If = 400A. Максимальный прямой ток диода Ifm = 800A. Диапазон рабочих температур -40 to +125 °С. Вес 0,35кг
Цена от 2891.47 грн
