Изделия NAINA SEMICONDUCTOR и STARPOWER SEMICONDUCTOR

Рубрика: Тиристорные модули

МОДУЛЬ ТИРИСТОРНО-ТИРИСТОРНЫЙ NTT106N80
15 Ноя
Опубликовано в Naina Комментариев нет

МОДУЛЬ ТИРИСТОРНО-ТИРИСТОРНЫЙ NTT106N80

Модуль тиристорно-тиристорный. Производитель Naina Semiconductor Limited. Предельный средний прямой ток при TJ = 85°С — IA(AV) =70А. Предельное значение прямого тока RMS — IT(RMS)=110А. Максимальный неповторяющийся импульсный ток ITSM=1600А. Предельное значение повторяющегося обратного напряжения VRRM=1200В. Предельное значение неповторяющегося обратного напряжения VRSM=1300В. Диапазон рабочих температур -40 to +125 °С. Тепловое сопротивление Rth(JC)=0,35 °С/W. Вес 0,1кг

Технические характеристики

Цена от 411.59 грн


Читать дальше ИнформацияМОДУЛЬ ТИРИСТОРНО-ТИРИСТОРНЫЙ NTT106N80 …

МОДУЛЬ ТИРИСТОРНО-ТИРИСТОРНЫЙ NTT57N160
15 Ноя
Опубликовано в Naina Комментариев нет

МОДУЛЬ ТИРИСТОРНО-ТИРИСТОРНЫЙ NTT57N160

Модуль тиристорно-тиристорный. Производитель Naina Semiconductor Limited. Предельный средний прямой ток при TJ = 85°С — IA(AV) =50А. Предельное значение прямого тока RMS — IT(RMS)=79А. Максимальный неповторяющийся импульсный ток ITSM=1500А. Предельное значение повторяющегося обратного напряжения VRRM=1600В. Предельное значение неповторяющегося обратного напряжения VRSM=1700В. Диапазон рабочих температур -40 to +125 °С. Тепловое сопротивление Rth(JC)=0,57 °С/W. Вес 0,1кг

Технические характеристики

Цена от 332.54 грн


Читать дальше ИнформацияМОДУЛЬ ТИРИСТОРНО-ТИРИСТОРНЫЙ NTT57N160 …

МОДУЛЬ ТИРИСТОРНО-ТИРИСТОРНЫЙ NTT132N80
15 Ноя
Опубликовано в Naina Комментариев нет

МОДУЛЬ ТИРИСТОРНО-ТИРИСТОРНЫЙ NTT132N80

Модуль тиристорно-тиристорный. Производитель Naina Semiconductor Limited. Предельный средний прямой ток при TJ = 85°С — IA(AV) =137А. Предельное значение прямого тока RMS — IT(RMS)=215А. Максимальный неповторяющийся импульсный ток ITSM=4700А. Предельное значение повторяющегося обратного напряжения VRRM=800В. Предельное значение неповторяющегося обратного напряжения VRSM=900В. Диапазон рабочих температур -40 to +125 °С. Тепловое сопротивление Rth(JC)=0,18 °С/W. Вес 0,22кг

Технические характеристики

Цена от 727.12 грн


Читать дальше ИнформацияМОДУЛЬ ТИРИСТОРНО-ТИРИСТОРНЫЙ NTT132N80 …

МОДУЛЬ ТИРИСТОРНО-ТИРИСТОРНЫЙ NTT273N120
15 Ноя
Опубликовано в Naina Комментариев нет

МОДУЛЬ ТИРИСТОРНО-ТИРИСТОРНЫЙ NTT273N120

Модуль тиристорно-тиристорный. Производитель Naina Semiconductor Limited. Предельный средний прямой ток при TJ = 85°С — IA(AV) =273А. Предельное значение прямого тока RMS — IT(RMS)=428А. Максимальный неповторяющийся импульсный ток ITSM=9000А. Предельное значение повторяющегося обратного напряжения VRRM=1200В. Предельное значение неповторяющегося обратного напряжения VRSM=1300В. Диапазон рабочих температур -40 to +125 °С. Тепловое сопротивление Rth(JC)=0,1 °С/W. Вес 0,62кг

Технические характеристики

Цена от 2344.79 грн


Читать дальше ИнформацияМОДУЛЬ ТИРИСТОРНО-ТИРИСТОРНЫЙ NTT273N120 …

МОДУЛЬ ТИРИСТОРНО-ТИРИСТОРНЫЙ NTT330N120
15 Ноя
Опубликовано в Naina Комментариев нет

МОДУЛЬ ТИРИСТОРНО-ТИРИСТОРНЫЙ NTT330N120

Модуль тиристорно-тиристорный. Производитель Naina Semiconductor Limited. Предельный средний прямой ток при TJ = 85°С — IA(AV) =305А. Предельное значение прямого тока RMS — IT(RMS)=480А. Максимальный неповторяющийся импульсный ток ITSM=9500А. Предельное значение повторяющегося обратного напряжения VRRM=1200В. Предельное значение неповторяющегося обратного напряжения VRSM=1300В. Диапазон рабочих температур -40 to +125 °С. Тепловое сопротивление Rth(JC)=0,11 °С/W. Вес 0,62кг

Технические характеристики

Цена от 2513.89 грн


Читать дальше ИнформацияМОДУЛЬ ТИРИСТОРНО-ТИРИСТОРНЫЙ NTT330N120 …

МОДУЛЬ ТРЁХФАЗНОГО УПРАВЛЯЕМОГО ПОЛУМОСТА NHS100/120
15 Ноя
Опубликовано в Naina Комментариев нет

МОДУЛЬ ТРЁХФАЗНОГО УПРАВЛЯЕМОГО ПОЛУМОСТА NHS100/120

Модуль трёхфазного управляемого полумоста. Производитель Naina Semiconductor Limited. Предельный средний прямой ток при TJ = 85°С — IF(AV) =100А. Максимальный неповторяющийся импульсный ток IFSM=1200А. Предельное значение повторяющегося обратного напряжения VRRM=1300В. Предельное значение неповторяющегося обратного напряжения VRSM=1700В. Диапазон рабочих температур -40 to +125 °С. Тепловое сопротивление Rth(JC)=0,84 °С/W. Вес 0,32кг

Технические характеристики

Цена от 1296.47 грн


Читать дальше ИнформацияМОДУЛЬ ТРЁХФАЗНОГО УПРАВЛЯЕМОГО ПОЛУМОСТА NHS100/120 …

МОДУЛЬ ТИРИСТОРНО-ТИРИСТОРНЫЙ NTT92N80
15 Ноя
Опубликовано в Naina Комментариев нет

МОДУЛЬ ТИРИСТОРНО-ТИРИСТОРНЫЙ NTT92N80

Модуль тиристорно-тиристорный. Производитель Naina Semiconductor Limited. Предельный средний прямой ток при TJ = 85°С — IA(AV) =70А. Предельное значение прямого тока RMS — IT(RMS)=110А. Максимальный неповторяющийся импульсный ток ITSM=1600А. Предельное значение повторяющегося обратного напряжения VRRM=1200В. Предельное значение неповторяющегося обратного напряжения VRSM=1300В. Диапазон рабочих температур -40 to +125 °С. Тепловое сопротивление Rth(JC)=0,35 °С/W. Вес 0,1кг

Технические характеристики

Цена от 391.91 грн

Читать дальше ИнформацияМОДУЛЬ ТИРИСТОРНО-ТИРИСТОРНЫЙ NTT92N80 …

МОДУЛЬ ТИРИСТОРНО-ТИРИСТОРНЫЙ NTT72N120
15 Ноя
Опубликовано в Naina Комментариев нет

МОДУЛЬ ТИРИСТОРНО-ТИРИСТОРНЫЙ NTT72N120

Модуль тиристорно-тиристорный. Производитель Naina Semiconductor Limited. Предельный средний прямой ток при TJ = 85°С — IA(AV) =95А. Предельное значение прямого тока RMS — IT(RMS)=150А. Максимальный неповторяющийся импульсный ток ITSM=2000А. Предельное значение повторяющегося обратного напряжения VRRM=800В. Предельное значение неповторяющегося обратного напряжения VRSM=900В. Диапазон рабочих температур -40 to +125 °С. Тепловое сопротивление Rth(JC)=0,28 °С/W. Вес 0,1кг

Технические характеристики

Цена от 363.56 грн


Читать дальше ИнформацияМОДУЛЬ ТИРИСТОРНО-ТИРИСТОРНЫЙ NTT72N120 …

МОДУЛЬ ТИРИСТОРНО-ТИРИСТОРНЫЙ NTT106N120
15 Ноя
Опубликовано в Naina Комментариев нет

МОДУЛЬ ТИРИСТОРНО-ТИРИСТОРНЫЙ NTT106N120

Модуль тиристорно-тиристорный. Производитель Naina Semiconductor Limited. Предельный средний прямой ток при TJ = 85°С — IA(AV) =106А. Предельное значение прямого тока RMS — IT(RMS)=166А. Максимальный неповторяющийся импульсный ток ITSM=2250А. Предельное значение повторяющегося обратного напряжения VRRM=1200В. Предельное значение неповторяющегося обратного напряжения VRSM=1300В. Диапазон рабочих температур -40 to +125 °С. Тепловое сопротивление Rth(JC)=0,28 °С/W. Вес 0,1кг

Технические характеристики

Цена от 417.26 грн

Читать дальше ИнформацияМОДУЛЬ ТИРИСТОРНО-ТИРИСТОРНЫЙ NTT106N120 …

МОДУЛЬ ТИРИСТОРНО-ТИРИСТОРНЫЙ NTT122N160
15 Ноя
Опубликовано в Naina Комментариев нет

МОДУЛЬ ТИРИСТОРНО-ТИРИСТОРНЫЙ NTT122N160

Модуль IGBT. Производитель STARPOWER Semiconductor. 4-е транзистора в одном модуле. Ток коллектора при Tс = 80°С — Iс=50А. Ток коллектора при Tс = 25°С — Iс=77А. Импульсный ток коллектора при tp=1ms — Iсm=100А. Максимальное напряжение коллектор-эмитер Vces = 1200V. Номинальный прямой ток диода If = 50A. Максимальный прямой ток диода Ifm = 100A. Повторяющееся пиковое обратное напряжение Vrrm = 1200V. Диапазон рабочих температур -40 to +125 °С. Вес 0,2кг

Технические характеристики

Цена от 620.05 грн


Читать дальше ИнформацияМОДУЛЬ ТИРИСТОРНО-ТИРИСТОРНЫЙ NTT122N160 …