Изделия NAINA SEMICONDUCTOR и STARPOWER SEMICONDUCTOR

StarPower Semiconductor Ltd

StarPower Semiconductor Ltd

StarPower Semiconductor Ltd. — ведущая компания по производству силовых модулей, расположенная в Китае, примерно в 59 милях к юго-востоку от Шанхая. Компания, основанная в 2005 году, разрабатывает и производит модули IGBT / MOSFET / IPM / FRD / Rectifier и заказные модули для приложений в области инверторов, сварочных машин, индукционного нагрева, ИБП, солнечной энергетики, ветрогенераторов и т. д. Диапазон мощности от 0,5 кВт до более 1 МВт.

Читать дальше ИнформацияStarPower Semiconductor Ltd

NAINA SEMICONDUCTOR LIMITED

NAINA SEMICONDUCTOR LIMITED

Naina Semiconductor Limited была зарегистрирована в 1988 году в штате Уттар-Прадеш в Индии. На начальном этапе компания занималась производством стандартных и быстро восстанавливающийся диодов в корпусах DO-41, DO-27 и R-6. Со временем ассортимент непрерывно расширялся и на сегодняшний день компания является основным поставщиком этих компонентов в Индии. Сбыт не ограничивается только внутренним рынком – компания экспортирует свою продукцию в США, Великобританию, на Ближний Восток, в Европу и Юго-Восточную Азию. За многие годы сотрудниками компании накоплен богатый опыт в области разработки и производства компонентов силовой электроники.

Читать дальше ИнформацияNAINA SEMICONDUCTOR LIMITED

МОДУЛЬ ДИОДНО-ТИРИСТОРНЫЙ NTD122N120

МОДУЛЬ ДИОДНО-ТИРИСТОРНЫЙ NTD122N120

Модуль диодно-тиристорный. Производитель Naina Semiconductor Limited. Предельный средний прямой ток при TJ = 85°С — IA(AV) =130А. Предельное значение прямого тока RMS — IT(RMS)=204А. Максимальный неповторяющийся импульсный ток ITSM=3600А. Предельное значение повторяющегося обратного напряжения VRRM=1200В. Предельное значение неповторяющегося обратного напряжения VRSM=1300В. Диапазон рабочих температур -40 to +125 °С. Тепловое сопротивление Rth(JC)=0,21 °С/W. Вес 0,22кг

Технические характеристики

Цена от 603.04 грн

Читать дальше ИнформацияМОДУЛЬ ДИОДНО-ТИРИСТОРНЫЙ NTD122N120

МОДУЛЬ ДИОДНО-ДИОДНЫЙ NDD100N120

МОДУЛЬ ДИОДНО-ДИОДНЫЙ NDD100N120

Модуль диодно-диодный. Производитель Naina Semiconductor Limited. Предельный средний прямой ток при TJ = 85°С — IF(AV) =100А. Предельное значение прямого тока RMS — IF(RMS)=157А. Максимальный неповторяющийся импульсный ток IFSM=2500А. Предельное значение повторяющегося обратного напряжения VRRM=1200В. Предельное значение неповторяющегося обратного напряжения VRSM=1300В. Диапазон рабочих температур -40 to +125 °С. Тепловое сопротивление Rth(JC)=0,35 °С/W. Вес 0,1кг

Технические характеристики

Цена от 408.59 грн


Читать дальше ИнформацияМОДУЛЬ ДИОДНО-ДИОДНЫЙ NDD100N120

МОДУЛЬ ДИОДНО-ТИРИСТОРНЫЙ NTD27N160

МОДУЛЬ ДИОДНО-ТИРИСТОРНЫЙ NTD27N160

Модуль диодно-тиристорный. Производитель Naina Semiconductor Limited. Предельный средний прямой ток при TJ = 85°С — IA(AV) =25А. Предельное значение прямого тока RMS — IT(RMS)=40А. Максимальный неповторяющийся импульсный ток ITSM=550А. Предельное значение повторяющегося обратного напряжения VRRM=1600В. Предельное значение неповторяющегося обратного напряжения VRSM=1700В. Диапазон рабочих температур -40 to +125 °С. Тепловое сопротивление Rth(JC)=0,9 °С/W. Вес 0,1кг

Технические характеристики

Цена от 259.16 грн


Читать дальше ИнформацияМОДУЛЬ ДИОДНО-ТИРИСТОРНЫЙ NTD27N160

МОДУЛЬ ТИРИСТОРНО-ТИРИСТОРНЫЙ NTT106N80

МОДУЛЬ ТИРИСТОРНО-ТИРИСТОРНЫЙ NTT106N80

Модуль тиристорно-тиристорный. Производитель Naina Semiconductor Limited. Предельный средний прямой ток при TJ = 85°С — IA(AV) =70А. Предельное значение прямого тока RMS — IT(RMS)=110А. Максимальный неповторяющийся импульсный ток ITSM=1600А. Предельное значение повторяющегося обратного напряжения VRRM=1200В. Предельное значение неповторяющегося обратного напряжения VRSM=1300В. Диапазон рабочих температур -40 to +125 °С. Тепловое сопротивление Rth(JC)=0,35 °С/W. Вес 0,1кг

Технические характеристики

Цена от 411.59 грн


Читать дальше ИнформацияМОДУЛЬ ТИРИСТОРНО-ТИРИСТОРНЫЙ NTT106N80

МОДУЛЬ ТИРИСТОРНО-ТИРИСТОРНЫЙ NTT57N160

МОДУЛЬ ТИРИСТОРНО-ТИРИСТОРНЫЙ NTT57N160

Модуль тиристорно-тиристорный. Производитель Naina Semiconductor Limited. Предельный средний прямой ток при TJ = 85°С — IA(AV) =50А. Предельное значение прямого тока RMS — IT(RMS)=79А. Максимальный неповторяющийся импульсный ток ITSM=1500А. Предельное значение повторяющегося обратного напряжения VRRM=1600В. Предельное значение неповторяющегося обратного напряжения VRSM=1700В. Диапазон рабочих температур -40 to +125 °С. Тепловое сопротивление Rth(JC)=0,57 °С/W. Вес 0,1кг

Технические характеристики

Цена от 332.54 грн


Читать дальше ИнформацияМОДУЛЬ ТИРИСТОРНО-ТИРИСТОРНЫЙ NTT57N160

МОДУЛЬ ТИРИСТОРНО-ТИРИСТОРНЫЙ NTT132N80

МОДУЛЬ ТИРИСТОРНО-ТИРИСТОРНЫЙ NTT132N80

Модуль тиристорно-тиристорный. Производитель Naina Semiconductor Limited. Предельный средний прямой ток при TJ = 85°С — IA(AV) =137А. Предельное значение прямого тока RMS — IT(RMS)=215А. Максимальный неповторяющийся импульсный ток ITSM=4700А. Предельное значение повторяющегося обратного напряжения VRRM=800В. Предельное значение неповторяющегося обратного напряжения VRSM=900В. Диапазон рабочих температур -40 to +125 °С. Тепловое сопротивление Rth(JC)=0,18 °С/W. Вес 0,22кг

Технические характеристики

Цена от 727.12 грн


Читать дальше ИнформацияМОДУЛЬ ТИРИСТОРНО-ТИРИСТОРНЫЙ NTT132N80

МОДУЛЬ ТИРИСТОРНО-ТИРИСТОРНЫЙ NTT273N120

МОДУЛЬ ТИРИСТОРНО-ТИРИСТОРНЫЙ NTT273N120

Модуль тиристорно-тиристорный. Производитель Naina Semiconductor Limited. Предельный средний прямой ток при TJ = 85°С — IA(AV) =273А. Предельное значение прямого тока RMS — IT(RMS)=428А. Максимальный неповторяющийся импульсный ток ITSM=9000А. Предельное значение повторяющегося обратного напряжения VRRM=1200В. Предельное значение неповторяющегося обратного напряжения VRSM=1300В. Диапазон рабочих температур -40 to +125 °С. Тепловое сопротивление Rth(JC)=0,1 °С/W. Вес 0,62кг

Технические характеристики

Цена от 2344.79 грн


Читать дальше ИнформацияМОДУЛЬ ТИРИСТОРНО-ТИРИСТОРНЫЙ NTT273N120

МОДУЛЬ ТИРИСТОРНО-ТИРИСТОРНЫЙ NTT330N120

МОДУЛЬ ТИРИСТОРНО-ТИРИСТОРНЫЙ NTT330N120

Модуль тиристорно-тиристорный. Производитель Naina Semiconductor Limited. Предельный средний прямой ток при TJ = 85°С — IA(AV) =305А. Предельное значение прямого тока RMS — IT(RMS)=480А. Максимальный неповторяющийся импульсный ток ITSM=9500А. Предельное значение повторяющегося обратного напряжения VRRM=1200В. Предельное значение неповторяющегося обратного напряжения VRSM=1300В. Диапазон рабочих температур -40 to +125 °С. Тепловое сопротивление Rth(JC)=0,11 °С/W. Вес 0,62кг

Технические характеристики

Цена от 2513.89 грн


Читать дальше ИнформацияМОДУЛЬ ТИРИСТОРНО-ТИРИСТОРНЫЙ NTT330N120