Модуль тиристорно-тиристорный. Производитель Naina Semiconductor Limited. Предельный средний прямой ток при TJ = 85°С — IA(AV) =137А. Предельное значение прямого тока RMS — IT(RMS)=215А. Максимальный неповторяющийся импульсный ток ITSM=4700А. Предельное значение повторяющегося обратного напряжения VRRM=800В. Предельное значение неповторяющегося обратного напряжения VRSM=900В. Диапазон рабочих температур -40 to +125 °С. Тепловое сопротивление Rth(JC)=0,18 °С/W. Вес 0,22кг

Технические характеристики

Цена от 727.12 грн

Читать дальше ИнформацияМОДУЛЬ ТИРИСТОРНО-ТИРИСТОРНЫЙ NTT132N80 …

Технические характеристики

Цена от 2344.79 грн

Читать дальше ИнформацияМОДУЛЬ ТИРИСТОРНО-ТИРИСТОРНЫЙ NTT273N120 …

Технические характеристики

Цена от 2513.89 грн

Читать дальше ИнформацияМОДУЛЬ ТИРИСТОРНО-ТИРИСТОРНЫЙ NTT330N120 …

Технические характеристики

Цена от 391.91 грн

Читать дальше ИнформацияМОДУЛЬ ТИРИСТОРНО-ТИРИСТОРНЫЙ NTT92N80 …

Модуль тиристорно-тиристорный. Производитель Naina Semiconductor Limited. Предельный средний прямой ток при TJ = 85°С — IA(AV) =95А. Предельное значение прямого тока RMS — IT(RMS)=150А. Максимальный неповторяющийся импульсный ток ITSM=2000А. Предельное значение повторяющегося обратного напряжения VRRM=800В. Предельное значение неповторяющегося обратного напряжения VRSM=900В. Диапазон рабочих температур -40 to +125 °С. Тепловое сопротивление Rth(JC)=0,28 °С/W. Вес 0,1кг

Технические характеристики

Цена от 363.56 грн

Читать дальше ИнформацияМОДУЛЬ ТИРИСТОРНО-ТИРИСТОРНЫЙ NTT72N120 …

Модуль тиристорно-тиристорный. Производитель Naina Semiconductor Limited. Предельный средний прямой ток при TJ = 85°С — IA(AV) =106А. Предельное значение прямого тока RMS — IT(RMS)=166А. Максимальный неповторяющийся импульсный ток ITSM=2250А. Предельное значение повторяющегося обратного напряжения VRRM=1200В. Предельное значение неповторяющегося обратного напряжения VRSM=1300В. Диапазон рабочих температур -40 to +125 °С. Тепловое сопротивление Rth(JC)=0,28 °С/W. Вес 0,1кг

Технические характеристики

Цена от 417.26 грн

Читать дальше ИнформацияМОДУЛЬ ТИРИСТОРНО-ТИРИСТОРНЫЙ NTT106N120 …

Модуль IGBT. Производитель STARPOWER Semiconductor. 4-е транзистора в одном модуле. Ток коллектора при Tс = 80°С — Iс=50А. Ток коллектора при Tс = 25°С — Iс=77А. Импульсный ток коллектора при tp=1ms — Iсm=100А. Максимальное напряжение коллектор-эмитер Vces = 1200V. Номинальный прямой ток диода If = 50A. Максимальный прямой ток диода Ifm = 100A. Повторяющееся пиковое обратное напряжение Vrrm = 1200V. Диапазон рабочих температур -40 to +125 °С. Вес 0,2кг

Технические характеристики

Цена от 620.05 грн

Читать дальше ИнформацияМОДУЛЬ ТИРИСТОРНО-ТИРИСТОРНЫЙ NTT122N160 …

Модуль тиристорно-тиристорный. Производитель Naina Semiconductor Limited. Предельный средний прямой ток при TJ = 85°С — IA(AV) =156А. Предельное значение прямого тока RMS — IT(RMS)=245А. Максимальный неповторяющийся импульсный ток ITSM=5400А. Предельное значение повторяющегося обратного напряжения VRRM=800В. Предельное значение неповторяющегося обратного напряжения VRSM=900В. Диапазон рабочих температур -40 to +125 °С. Тепловое сопротивление Rth(JC)=0,17 °С/W. Вес 0,22кг

Технические характеристики

Цена от 932.92 грн

Читать дальше ИнформацияМОДУЛЬ ТИРИСТОРНО-ТИРИСТОРНЫЙ NTT162N80 …