15
Ноя
МОДУЛЬ ТИРИСТОРНО-ТИРИСТОРНЫЙ NTT72N120
Модуль тиристорно-тиристорный. Производитель Naina Semiconductor Limited. Предельный средний прямой ток при TJ = 85°С — IA(AV) =95А. Предельное значение прямого тока RMS — IT(RMS)=150А. Максимальный неповторяющийся импульсный ток ITSM=2000А. Предельное значение повторяющегося обратного напряжения VRRM=800В. Предельное значение неповторяющегося обратного напряжения VRSM=900В. Диапазон рабочих температур -40 to +125 °С. Тепловое сопротивление Rth(JC)=0,28 °С/W. Вес 0,1кг
Цена от 363.56 грн
Читать дальше ИнформацияМОДУЛЬ ТИРИСТОРНО-ТИРИСТОРНЫЙ NTT72N120 …
Модуль тиристорно-тиристорный. Производитель Naina Semiconductor Limited. Предельный средний прямой ток при TJ = 85°С — IA(AV) =156А. Предельное значение прямого тока RMS — IT(RMS)=245А. Максимальный неповторяющийся импульсный ток ITSM=5400А. Предельное значение повторяющегося обратного напряжения VRRM=800В. Предельное значение неповторяющегося обратного напряжения VRSM=900В. Диапазон рабочих температур -40 to +125 °С. Тепловое сопротивление Rth(JC)=0,17 °С/W. Вес 0,22кг
Модуль тиристорний-тиристорный. Производитель Naina Semiconductor Limited. Предельный средний прямой ток при TJ = 85°С — IA(AV) =50А. Предельное значение прямого тока RMS — IT(RMS)=79А. Максимальный неповторяющийся импульсный ток ITSM=1500А. Предельное значение повторяющегося обратного напряжения VRRM=800В. Предельное значение неповторяющегося обратного напряжения VRSM=900В. Диапазон рабочих температур -40 to +125 °С. Тепловое сопротивление Rth(JC)=0,57 °С/W. Вес 0,1кг
Модуль IGBT. Производитель STARPOWER Semiconductor. 4-е транзистора в одном модуле. Ток коллектора при Tс = 80°С — Iс=50А. Ток коллектора при Tс = 25°С — Iс=77А. Импульсный ток коллектора при tp=1ms — Iсm=100А. Максимальное напряжение коллектор-эмитер Vces = 1200V. Номинальный прямой ток диода If = 50A. Максимальный прямой ток диода Ifm = 100A. Повторяющееся пиковое обратное напряжение Vrrm = 1200V. Диапазон рабочих температур -40 to +125 °С. Вес 0,2кг
Модуль IGBT. Производитель STARPOWER Semiconductor. 2-а транзистора в одном модуле. Ток коллектора при Tс = 80°С — Iс=300А. Ток коллектора при Tс = 25°С — Iс=480А. Импульсный ток коллектора при tp=1ms — Iсm=600А. Максимальное напряжение коллектор-эмитер Vces = 1200V. Номинальный прямой ток диода If = 300A. Максимальный прямой ток диода Ifm = 600A. Диапазон рабочих температур -40 to +125 °С. Вес 0,35кг
Модуль IGBT. Производитель STARPOWER Semiconductor. 2-а транзистора в одном модуле. Ток коллектора при Tс = 80°С — Iс=400А. Ток коллектора при Tс = 25°С — Iс=660А. Импульсный ток коллектора при tp=1ms — Iсm=800А. Максимальное напряжение коллектор-эмитер Vces = 1200V. Номинальный прямой ток диода If = 400A. Максимальный прямой ток диода Ifm = 800A. Диапазон рабочих температур -40 to +125 °С. Вес 0,35кг
Модуль IGBT. Производитель STARPOWER Semiconductor. 2-а транзистора в одном модуле. Ток коллектора при Tс = 80°С — Iс=450А. Ток коллектора при Tс = 25°С — Iс=680А. Импульсный ток коллектора при tp=1ms — Iсm=900А. Максимальное напряжение коллектор-эмитер Vces = 1200V. Номинальный прямой ток диода If = 450A. Максимальный прямой ток диода Ifm = 900A. Диапазон рабочих температур -40 to +125 °С. Вес 0,35кг