Модуль IGBT. Производитель STARPOWER Semiconductor. 2-а транзистора в одном модуле. Ток коллектора при Tс = 80°С — Iс=450А. Ток коллектора при Tс = 25°С — Iс=680А. Импульсный ток коллектора при tp=1ms — Iсm=900А. Максимальное напряжение коллектор-эмитер Vces = 1200V. Номинальный прямой ток диода If = 450A. Максимальный прямой ток диода Ifm = 900A. Диапазон рабочих температур -40 to +125 °С. Вес 0,35кг
Цена от 2921.76 грн
